5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH25N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH26N100X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFH26N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH26N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFH26N50P | IXYS |
获取价格 |
Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode |
|
| IXFH26N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH26N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFH26N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFH26N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFH26N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
