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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH25N20 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH26N100X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH26N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH26N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH26N50P | IXYS |
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Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode |
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| IXFH26N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH26N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH26N50P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH26N50Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH26N50Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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