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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 357K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH26N50Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH26N50Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH26N55Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH26N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH26N60P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated | |
IXFH26N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH26N60Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH26N60Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH26N65X2 | LITTELFUSE |
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650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。 其采用标准TO-247封装 | |
IXFH270N06T3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |