Datasheet > IXFH30N60X

IXFH30N60X

更新时间： 2024-11-21 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	193K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH30N60X 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.3	Base Number Matches：	1

IXFH30N60X 数据手册

Preliminary Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 30A

R_DS(on) 155m

IXFT30N60X

IXFQ30N60X

IXFH30N60X

TO-268 (IXFT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

TO-247 (IXFH)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

D = Drain

500

G = Gate

S = Source

T_J

-55 ... +150

150

C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

2.5

4.5

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

25 A

750 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

155 m



DS100658A(5/15)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFH30N60X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH30N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH320N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH320N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH32N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFH32N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH32N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class
IXFH32N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH32N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 32A I(D) \| TO-247VAR