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IXFH36N50P

更新时间： 2024-09-28 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH36N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH36N50P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 36A

IXFV36N50PS

IXFV36N50P

IXFH36N50P

IXFT36N50P

R_DS(on)≤ 170mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PLUS220SMD (IXFV...S)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-268 (IXFT)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

D (Tab)

540

TO-247 (IXFH)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

D (Tab)

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Weight

PLUS220

TO-268

TO-247

4.0

6.0

Features

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

±100 nA

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

170 mΩ

DS99364F(07/11)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFH36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH36N55Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH36N60X3	LITTELFUSE	获取价格	600V X3-Class超级结MOSFET IXFH36N60X3的标称额定电流为36A
IXFH400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH40N30	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH40N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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