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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 238K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 540 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH36N55Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFH36N55Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFH36N55Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH36N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH36N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH36N60X3 | LITTELFUSE |
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600V X3-Class超级结MOSFET IXFH36N60X3的标称额定电流为36A |
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| IXFH400N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH400N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFH40N30 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH40N30 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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