Datasheet > IXFH32N100X

IXFH32N100X

更新时间： 2024-09-16 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		高电压电源栅二极管
页数	文件大小	规格书
7页	961K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH32N100X 数据手册

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 1000V

I_D25= 32A

R_DS(on) 220m

IXFT32N100XHV

IXFH32N100X

IXFK32N100X

TO-268HV

(IXFT..HV)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-247

(IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

TO-264

(IXFK)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

D = Drain

890

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-264)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

TO-268HV

TO-247

TO-264

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000

3.5

6.0

Applications

100 nA

50 A



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

220 m



DS100906D(11/19)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFH32N100X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH32N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH32N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class
IXFH32N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH32N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 32A I(D) \| TO-247VAR
IXFH340N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET
IXFH340N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH34N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH34N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁
IXFH34N65X2	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 650V 34A TO-247