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IXFH400N075T2

更新时间： 2024-11-21 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	215K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXFH400N075T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXFH400N075T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 400A

R_DS(on)≤ 2.3mΩ

IXFH400N075T2

IXFT400N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

400

160

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

1000

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

200

1.5

E_AS

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab = Drain

1000

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +175

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-247

TO-268

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.0

4.0

±200 nA

Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

1.5 mA

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

R_DS(on)

2.3 mΩ

DS100221(12/09)

12 3 4 5 6 7

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