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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH30N60P | IXYS |
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PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXFH30N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH30N60Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH30N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH30N60X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH30N85X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH30N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFH320N10T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH320N10T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFH32N100X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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