Datasheet > IXFH30N60Q

IXFH30N60Q

更新时间： 2024-09-16 11:13:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	587K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH30N60Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH30N60Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH 30N60Q V_DSS

IXFT 30N60Q I_D25

= 600 V

30 A

R_DS(on)= 0.23 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, LowQ_g

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

600

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

120

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

= 25°C

1.5

T^C_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Low gate charge

Weight

TO-247

TO-268

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

600

2.5

Advantages

Temperature Coefficient

0.095

- 0.24

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Temperature Coefficient

4.5

%/K

Easy to mount

Space savings

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

High power density

V_DS= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

25 µA

V_GS= 0^DV^SS

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

0.23

Ω

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^Dd²⁵uty cycle d ≤ 2 %

DS99059(06/03)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXFH30N60Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDH44N50	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-

与IXFH30N60Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH320N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH320N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH32N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFH32N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH32N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class

与IXFH30N60Q相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH30N60Q

IXFH30N60Q 技术参数

IXFH30N60Q 数据手册

IXFH30N60Q 替代型号

与IXFH30N60Q相关器件

与IXFH30N60Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH30N60Q

IXFH30N60Q 技术参数

IXFH30N60Q 数据手册

IXFH30N60Q 替代型号

与IXFH30N60Q相关器件

与IXFH30N60Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？