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IXFH30N40Q

更新时间： 2024-11-21 04:22:47

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH30N40Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 30N40Q

IXFT 30N40Q

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 400 V

= 30 A

= 0.16 W

t_rr£ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

400

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

120

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lLow gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^lRated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

400

2.0

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.16

High power density

98754 (10/00)

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IXFH30N40Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB55NF06T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO
STP60NF06	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP5NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET

与IXFH30N40Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH30N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH30N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH30N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH30N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH30N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFH30N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFH30N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
IXFH30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH30N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH30N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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