IXFH26N50Q

更新时间： 2024-11-17 22:11:11

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	135K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH26N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	104 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH26N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

Power MOSFETs

IXFH/IXFT 24N50Q

IXFH/IXFT 26N50Q

500 V

24 A

26 A

0.23 Ω

0.20 Ω

Q-Class

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

24N50

104

26N50

24N50

26N50

24N50

26N50

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

TO-268 (D3) (IXFT) Case Style

E_AR

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

Gate,D

Source,TAB

Drain,

Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lInternationalstandardpackages

^lLow R_{DS (on)}

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

^lUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

^lFast switching

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

4.5

Advantages

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Easy to mount

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 2

24N50Q

26N50Q

0.23

0.20

Ω

98512G (5/01)

12 3 4

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IXFH26N50Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH26N50P	IXYS	类似代替	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
STW19NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STW20NM50FD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-247 FDmesh⑩

与IXFH26N50Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH26N55Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH26N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH26N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH26N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH26N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFH26N60Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH26N65X2	LITTELFUSE	获取价格	650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。其采用标准TO-247封装
IXFH270N06T3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH270N06T3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH280N085	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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