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STW19NM50N

更新时间: 2024-01-21 08:44:29
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 715K
描述
N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247

STW19NM50N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-247包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:43 weeks 2 days
风险等级:8.5雪崩能效等级(Eas):208 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.25 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STW19NM50N 数据手册

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STF19NM50N  
STP19NM50N, STW19NM50N  
N-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh™ II Power MOSFET  
in TO-220FP, TO-220 and TO-247  
Features  
VDSS @  
TJmax  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
3
STF19NM50N  
STP19NM50N  
STW19NM50N  
2
2
1
1
550 V  
< 0.25 Ω  
14 A  
TO-247  
TO-220  
100% avalanche tested  
Low input capacitances and gate charge  
Low gate input resistance  
3
2
1
TO-220FP  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This second generation of MDmesh™ technology,  
applies the benefits of the multiple drain process  
to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™  
horizontal layout structure. The resulting product  
offers improved on-resistance, low gate charge,  
high dv/dt capability and excellent avalanche  
characteristics.  
$ꢅꢆꢇ  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STF19NM50N  
STP19NM50N  
STW19NM50N  
TO-220FP  
TO-220  
19NM50N  
Tube  
TO-247  
February 2010  
Doc ID 17079 Rev 1  
1/15  
www.st.com  
15  

STW19NM50N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STW6N120K3 STMICROELECTRONICS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh DK5功率MOSF
STW20N95K5 STMICROELECTRONICS

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N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5
STW20NA50 STMICROELECTRONICS

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