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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW20NM50FD
STW20NM50FD PDF预览

STW20NM50FD

更新时间： 2024-02-07 01:00:08
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 250K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

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STW20NM50FD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：0.9Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：953529
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-247
Samacsys Released Date：2017-10-30 00:07:50Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW20NM50FD 数据手册

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STW20NM50FD  
N-CHANNEL 500V - 0.22Ω - 20A TO-247  
FDmesh™ Power MOSFET (with FAST DIODE)  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW20NM50FD  
500V  
<0.25Ω  
20 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.22Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
3
2
1
TO-247  
DESCRIPTION  
The FDmesh™ associates all advantages of reduced  
on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-  
recovery body diode. It is therefore strongly recom-  
mended for bridge topologies, in particular ZVS phase-  
shift converters.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
ZVS PHASE-SHIFT FULL BRIDGE CONVERTERS  
FOR SMPS AND WELDING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
20  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
14  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
80  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
214  
W
C
Derating Factor  
1.42  
20  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤20A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
June 2002  
1/8  
12345678

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STW20NM50FD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW23NM50N STMICROELECTRONICS

类似代替

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STW26NM50 STMICROELECTRONICS

类似代替

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STP20NM50 STMICROELECTRONICS

类似代替

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与STW20NM50FD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW20NM60 STMICROELECTRONICS

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STW20NM60FD STMICROELECTRONICS

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STW20NM65N STMICROELECTRONICS

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STW21N150K5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh™ V P
STW21N90K5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-p
STW21NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW21NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2
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 		N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe
STW220NF75 STMICROELECTRONICS

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