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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW21NM60N
STW21NM60N PDF预览

STW21NM60N

更新时间： 2024-11-21 08:58:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
18页 563K
描述
N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET

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STW21NM60N 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：610 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW21NM60N 数据手册

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STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N  
STB21NM60N-STB21NM60N-1  
N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK -  
I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
3
3
2
1
2
1
STB21NM60N  
STB21NM60N-1  
STF21NM60N  
STP21NM60N  
STW21NM60N  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
17 A  
17 A  
1
D2PAK  
TO-220  
TO-220FP  
17 A(1)  
17 A  
17 A  
1. Limited by maximum temperature allowed  
3
3
2
2
1
1
■ 100% avalanche tested  
I2PAK  
TO-247  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching applications  
Description  
This series of devices implements the second  
generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB21NM60N  
STB21NM60N-1  
STF21NM60N  
STP21NM60N  
STW21NM60N  
B21NM60N  
B21NM60N  
F21NM60N  
P21NM60N  
W21NM60N  
D2PAK  
I2PAK  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
TO-247  
Tube  
Tube  
Tube  
February 2008  
Rev 7  
1/18  
www.st.com  
18  
1234567...18

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STW21NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW24N60M2 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，
STW22NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po

与STW21NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW21NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe
STW220NF75 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 75V - 0.004OHM - 120A TO-247 STripFET II POWER MOSFET
STW22N95K5 STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道950 V、0.280 Ohm典型值MDmesh K5功率MOSFET，TO-
STW22NM50 STMICROELECTRONICS

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 		20A, 500V, 0.215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, TO-247, 3 PIN
STW22NM60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P
STW22NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po
STW23N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STW23N85K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道850 V、0.2 Ohm典型值、19 A MDmesh K5功率MOSFET，TO
STW23NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22
STW23NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2

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