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STW25N95K3 PDF预览

STW25N95K3

更新时间： 2024-11-25 21:17:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 775K
描述
22A, 950V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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STW25N95K3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：8.61
雪崩能效等级（Eas）：450 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：950 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.36 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW25N95K3 数据手册

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STW25N95K3  
N-channel 950 V, 0.32 Ω, 22 A, TO-247  
SuperMESH3™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
Pw  
STW25N95K3  
950 V  
< 0.36 Ω 22 A 400 W  
■ 100% avalanche tested  
■ Extremely large avalanche performance  
■ Gate charge minimized  
3
2
1
TO-247  
■ Very low intrinsic capacitances  
■ Zener-protected  
Application  
■ Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
D(2)  
This SuperMESH3™ Power MOSFET is the  
result of improvements applied to  
STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology,  
combined with a new optimized vertical structure.  
This device boasts an extremely low on-  
resistance, superior dynamic performance and  
high avalanche capability, rendering it suitable for  
the most demanding applications.  
G(1)  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1.  
Order code  
STW25N95K3  
Device summary  
Marking  
Package  
TO-247  
Packaging  
25N95K3  
Tube  
January 2012  
Doc ID 15584 Rev 2  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

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STW25N95K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW20N95K5 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5
STW19NM50N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STW6N120K3 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW25NM50N STMICROELECTRONICS

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STW25NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po
STW26N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T
STW26N65DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET
STW26NM50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-P
STW26NM50FD STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,30A I(D),TO-247AC
STW26NM60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-
STW26NM60FD STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
STW26NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2

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