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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW30NM60D
STW30NM60D PDF预览

STW30NM60D

更新时间： 2024-11-20 22:42:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 248K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET

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STW30NM60D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：740 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW30NM60D 数据手册

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STW30NM60D  
N-CHANNEL 600V - 0.125Ω - 30A TO-247  
Fast Diode MDmesh™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW30NM60D  
600 V  
< 0.145 Ω  
30 A  
■ TYPICAL R (on) = 0.125 Ω  
DS  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE RATED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
■ FAST INTERNAL RECOVERY DIODE  
TO-247  
DESCRIPTION  
The FDmesh™ associates all advantages of re-  
duced on-resistance and fast switching with an in-  
trinsic fast-recovery body diode. It is therefore  
strongly recommended for bridge topologies, in  
particular ZVS phase-shift converters.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
■ ZVS PHASE-SHIFT FULL BRIDGE  
CONVERTERS FOR SMPS AND WELDING  
EQUIPMENT  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STW30NM60D  
W30NM60D  
TO-247  
TUBE  
Rev. 3  
June 2004  
1/9  
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