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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 941K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh⢠II Power MOSFET TO-220, TO-247, TO-220FP | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 345 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 29 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 29 A | 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 210 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 116 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T |
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| STW35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW35N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V |
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| STW36N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
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| STW38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STW38N65M5-4 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STW38NB20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
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| STW3C2N | DIALIGHT |
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DuroSite? LED Area Light |
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| STW3N150 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Powe |
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