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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW35N65M5
STW35N65M5 PDF预览

STW35N65M5

更新时间： 2024-02-15 15:44:04
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
22页 1278K
描述
N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

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STW35N65M5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：222559Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-247Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.098 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW35N65M5 数据手册

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STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5  
STP35N65M5, STW35N65M5  
N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V Power MOSFET  
in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247  
Features  
VDSS  
TJMAX  
@
Type  
RDS(on) max.  
ID  
3
3
1
2
3
1
2
STB35N65M5  
STF35N65M5  
STI35N65M5  
STP35N65M5  
STW35N65M5  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
< 0.098 Ω  
< 0.098 Ω  
< 0.098 Ω  
< 0.098 Ω  
< 0.098 Ω  
27 A  
27 A(1)  
27 A  
1
D²PAK  
I²PAK  
TO-220FP  
27 A  
27 A  
1. Limited only by maximum temperature allowed  
3
3
2
2
1
1
■ Worldwide best R  
* area  
DS(on)  
TO-220  
TO-247  
■ Higher V  
rating  
DSS  
■ Excellent switching performance  
■ Easy to drive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ 100% avalanche tested  
■ High dv/dt capability  
$ꢅꢆꢇ  
Applications  
■ Switching applications  
'ꢅꢁꢇ  
Description  
These devices are N-channel MDmesh™ V  
Power MOSFETs based on an innovative  
proprietary vertical process technology, which is  
combined with STMicroelectronics’ well-known  
PowerMESH™ horizontal layout structure. The  
resulting product has extremely low on-  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
resistance, which is unmatched among silicon-  
based Power MOSFETs, making it especially  
suitable for applications which require superior  
power density and outstanding efficiency.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB35N65M5  
STF35N65M5  
STI35N65M5  
STP35N65M5  
STW35N65M5  
35N65M5  
35N65M5  
35N65M5  
35N65M5  
35N65M5  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
I²PAK  
Tube  
TO-220  
TO-247  
Tube  
Tube  
October 2011  
Doc ID 15325 Rev 3  
1/22  
www.st.com  
22  
1234567...22

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STW35N65M5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP35N65M5 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V
STI35N65M5 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V
STW38N65M5 STMICROELECTRONICS

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 N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，

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