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STI35N65M5

更新时间： 2024-09-30 12:01:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
22页	1278K
描述
N-channel 650 V, 0.085 Î©, 27 A, MDmeshâ¢ V Power MOSFET in DÂ²PAK, TO-220FP, IÂ²PAK, TO-220, TO-247

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STI35N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.098 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI35N65M5 数据手册

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5

STP35N65M5, STW35N65M5

N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh™ V Power MOSFET

in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

Features

V_DSS

T_JMAX

Type

R_DS(on)max.

I_D

STB35N65M5

STF35N65M5

STI35N65M5

STP35N65M5

STW35N65M5

710 V

< 0.098 Ω

27 A

27 A⁽¹⁾

27 A

D²PAK

I²PAK

TO-220FP

27 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ Worldwide best R

* area

DS(on)

TO-220

TO-247

■ Higher V

rating

DSS

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ 100% avalanche tested

■ High dv/dt capability

$ꢅꢆꢇ

Applications

■ Switching applications

'ꢅꢁꢇ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB35N65M5

STF35N65M5

STI35N65M5

STP35N65M5

STW35N65M5

35N65M5

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

Tube

TO-220

TO-247

Tube

October 2011

Doc ID 15325 Rev 3

1/22

www.st.com

12 3 4 5 6 7...22

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STI35N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP35N65M5	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 650 V, 0.085 Î©, 27 A, MDmeshâ¢ V
STW38N65M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，

与STI35N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI4003D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI4006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI4007	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI401	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3
STI4010	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI402	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI4025	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| TO-3
STI4026	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| TO-3
STI403	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3

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