生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 900 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A |
最大漏极电流 (ID): | 25 A | 最大漏源导通电阻: | 0.385 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 190 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ | |
STP30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW3100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSCEIVER MODULE | |
STW31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET, | |
STW32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V | |
STW33N20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
STW33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STW33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STW33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET,T | |
STW34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T | |
STW34NB20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | |
STW34NB20_04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET |