品牌 | Logo | 应用领域 |
意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 457K | |
描述 | ||
TRANSCEIVER MODULE |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B104 |
端子数量: | 104 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA104,12X12,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Telecom ICs | 标称供电电压: | 2.7 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET, | |
STW32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V | |
STW33N20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
STW33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STW33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STW33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET,T | |
STW34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T | |
STW34NB20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | |
STW34NB20_04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET | |
STW34NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh⢠II |