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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 22页 | 1278K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | AVALANCHE ENERGY RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.119 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW33N20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| STW33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STW33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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| STW34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T |
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| STW34NB20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
|
| STW34NB20_04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET |
|
| STW34NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh⢠II |
|
| STW34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T |
|
| STW35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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