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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AC | 包装说明： | TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 130 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 95 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW30NF20 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247 |
|
| IRFP250NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP250N | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW34NB20_04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET |
|
| STW34NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh⢠II |
|
| STW34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T |
|
| STW35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STW35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STW35N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V |
|
| STW36N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
|
| STW38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STW38N65M5-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STW38NB20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
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