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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 391K | |
描述 | ||
N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW34NB20 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | |
IRFP4668PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFP250NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW30NM60D | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET | |
STW30NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe | |
STW30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ | |
STW3100 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSCEIVER MODULE | |
STW31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET, | |
STW32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V | |
STW33N20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
STW33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STW33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STW33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET,T |