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IRFP4668PBF

更新时间： 2025-07-22 05:39:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	288K
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HEXFET Power MOSFET

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IRFP4668PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.07	雪崩能效等级（Eas）：	760 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	130 A
最大漏极电流 (ID)：	130 A	最大漏源导通电阻：	0.0097 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	520 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP4668PBF 数据手册

PD -97140

IRFP4668PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

200V

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

R_DS(on)typ.

8.0m

9.7m

max.

I_D

130A

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

TO-247AC

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current c

Max.

130

Units

520

P_D@T_C= 25°C

520

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

3.5

W/°C

V_GS

± 30

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery e

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy d

E_{AS (Thermally limited)}

760

Avalanche Current c

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b,

Repetitive Avalanche Energy f

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.29

–––

Units

R_θJC

Junction-to-Case j

R_θCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.24

–––

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient ij

www.irf.com

9/8/08

12 3 4 5 6 7 8

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IRFP4668PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP250NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP260NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFP4227PBF	INFINEON	类似代替	PDP SWITCH

与IRFP4668PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP470	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode MegaMOS FET
IRFP4710	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
IRFP4710PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFP4768	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFP4768PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP4868	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFP4868PBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFP4N100Q	IXYS	获取价格	Transistor
IRFP7430	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFP7430PBF	INFINEON	获取价格	Brushed Motor drive applications

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