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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW25NM50N
STW25NM50N PDF预览

STW25NM50N

更新时间： 2024-11-08 21:54:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
16页 681K
描述
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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STW25NM50N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW25NM50N 数据手册

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STP25NM50N - STF25NM50N  
STB25NM50N/-1 - STW25NM50N  
N-CHANNEL 500V 0.11 Ω - 22 A TO-220/FP/D²/I²PAK/TO-247  
SECOND GENERATION MDmesh™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
(@Tj  
)
I
D
R
DS(on)  
DSS  
MAX  
STB25NM50N-1  
STF25NM50N  
STP25NM50N  
STW25NM50N  
STB25NM50N  
550V  
550V  
550V  
550V  
550V  
22 A 0.140 Ω  
22 A(*) 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
22 A 0.140 Ω  
3
3
2
1
2
1
TO-220  
I²PAK  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
1
D²PAK  
3
3
2
2
1
1
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TO-247  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The STx25NM50N is realized with the second  
generation of MDmesh Technology. This revolu-  
tionary MOSFET associates a new vertical struc-  
ture to the Company's strip layout to yield one of  
the world's lowest on-resistance and gate charge.  
It is therefore suitable for the most demanding high  
efficiency converters  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ II family is very suitable for in-  
creasing power density of high voltage converters  
allowing system miniaturization and higher effi-  
ciencies.  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STP25NM50N  
STF25NM50N  
STB25NM50N-1  
STW25NM50N  
STB25NM50N  
MARKING  
P25NM50N  
F25NM50N  
B25NM50N  
W25NM50N  
B25NM50N  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
I²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
TUBE  
TUBE  
TO-247  
D²PAK  
TUBE  
TAPE & REEL  
Rev. 9  
October 2005  
1/16  
1234567...16

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STW25NM50N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW13NK100Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 1000V - 0.56 OHM - 13A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STW12NK90Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

与STW25NM50N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW25NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po
STW26N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T
STW26N65DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET
STW26NM50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-P
STW26NM50FD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,30A I(D),TO-247AC
STW26NM60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-
STW26NM60FD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		暂无描述
STW26NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STW26NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2

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