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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.215 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 210 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW22NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P |
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| STW22NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po |
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| STW23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STW23N85K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道850 V、0.2 Ohm典型值、19 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STW23NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 |
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| STW23NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 |
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| STW23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - |
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| STW240NF55 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripF |
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| STW24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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