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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 254K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 3500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STW24N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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| STW24NK55Z | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 550 V - 0.18 Ω - 23 A - TO-247 Zene |
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| STW24NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II |
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| STW24NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
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| STW25A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STW25A60_07 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STW25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STW25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET |
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