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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW23NM60ND
STW23NM60ND PDF预览

STW23NM60ND

更新时间： 2024-11-25 06:14:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
15页 344K
描述
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET

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STW23NM60ND 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19.5 A
最大漏极电流 (ID)：19.5 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW23NM60ND 数据手册

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STB23NM60ND-STF23NM60ND  
STI23NM60ND-STP/W23NM60ND  
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247  
FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode)  
Preliminary Data  
Features  
VDSS  
Type  
RDS(on) max  
ID  
3
3
(@Tjmax  
)
2
1
1
STB23NM60ND  
STI23NM60ND  
STF23NM60ND  
STP23NM60ND  
STW23NM60ND  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
20 A  
20 A  
D²PAK  
I²PAK  
20 A(1)  
3
2
1
20 A  
TO-247  
20 A  
3
3
2
2
1. Limited by wire bonding  
1
1
TO-220FP  
■ The worldwide best R  
* area amongst the  
TO-220  
DS(on)  
fast recovery diode devices  
■ 100% avalanche tested  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
■ High dv/dt and avalanche capabilities  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching applications  
Description  
The FDmesh™ II series belongs to the second  
generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company's strip layout  
and associates all advantages of reduced on-  
resistance and fast switching with an intrinsic fast-  
recovery body diode.It is therefore strongly  
recommended for bridge topologies, in particular  
ZVS phase-shift converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB23NM60ND  
STI23NM60ND  
STF23NM60ND  
STP23NM60ND  
STW23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
D²PAK  
I²PAK  
Tape & reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
Tube  
TO-247  
Tube  
January 2008  
Rev 1  
1/15  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
15  
1234567...15

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STW23NM60ND 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW28N65M2 STMICROELECTRONICS

类似代替

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STW24NM65N STMICROELECTRONICS

类似代替

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STW23NM60N STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW240NF55 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripF
STW24N60DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET
STW24N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，
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 		N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF

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