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STW22NM60

更新时间： 2024-01-11 17:56:37
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
11页 387K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

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STW22NM60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW22NM60 数据手册

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STP22NM60 - STF22NM60  
STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60  
N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
MDmesh™Power MOSFET  
ADVANCED DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
R
*Q  
I
D
DS(on)  
ds(on)  
g
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.19Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
3
2
1
TO-247  
3
1
3
2
1
I2PAK  
D2PAK  
DESCRIPTION  
This improved version of MDmesh™ which is based  
on Multiple Drain process represents the new bench-  
mark in high voltage MOSFETs. The resulting product  
exhibits even lower on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip technique  
yields overall performances that are significantly better  
than that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing sys-  
tem miniaturization and higher efficiencies.  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
MARKING  
P22NM60  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
D²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
F22NM60  
TUBE  
B22NM60T4  
B22NM60-1  
W22NM60  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-247  
TUBE  
June 2003  
1/11  
1234567...11

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与STW22NM60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW22NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po
STW23N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STW23N85K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道850 V、0.2 Ohm典型值、19 A MDmesh K5功率MOSFET，TO
STW23NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22
STW23NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2
STW23NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STW240NF55 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripF
STW24N60DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET
STW24N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，
STW24N60M6 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T

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