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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW220NF75
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STW220NF75

更新时间： 2024-09-27 03:46:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
N-CHANNEL 75V - 0.004OHM - 120A TO-247 STripFET II POWER MOSFET

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STW220NF75 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：25 weeks 5 days
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW220NF75 数据手册

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STW220NF75  
N-CHANNEL 75V - 0.004 Ω - 120A TO-247  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STW220NF75  
75V  
<0.0044Ω 120A(**)  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.004Ω  
DS  
STANDARD THRESHOLD DRIVE  
100% AVALANCHE TESTED  
DESCRIPTION  
3
2
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows extremely  
high packing density for low on-resistance, rugged  
avalanche characteristics and less critical alignment  
1
TO-247  
steps  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
AUTOMOTIVE 42V BATTERY SYSTEM  
OR-ING FUNCTION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
75  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
75  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
120  
120  
480  
500  
3.33  
10  
V
GS  
I (**)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I (**)  
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
AS  
E
2500  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤120A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60 A, V = 30V  
j
D
DD  
May 2003  
1/8  
12345678

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STW220NF75 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDH047AN08A0 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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