生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 4.45 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW30N65M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH230N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFH230N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFH230N10T | IXYS |
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Trench HiperFET Power MOSFET | |
IXFH230N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFH23N60Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH23N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH23N80Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH240N15X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH24N40 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH24N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |