IXFH24N80P

更新时间： 2024-09-29 11:13:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH24N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.29
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	650 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH24N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 24N80P

IXFK 24N80P

IXFT 24N80P

V_DSS= 800 V

I_D25= 24 A

≤ 400 mΩ

t_rr^DS(on)≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXFT) Case Style

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

650

TO-264 AA (IXFK)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

TO-264

(TAB)

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.0

100

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

Advantages

T_J= 125°C

1000

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

400 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99572E(07/06)

12 3 4

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IXFT23N80Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH25N20	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
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IXFH26N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH26N50P	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
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