IXFH23N80Q

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH23N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH23N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH23N80Q

IXFT23N80Q

V_DSS

I_D25

= 800 V

23 A

R_DS(on)= 0.42 Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,

t_rr≤ 250 ns

Low Q_g,High dv/dt

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

T^C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

1.5

T^C_C= 25°C

G = Gate

S = Source

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

TAB = Drain

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

IXYS advanced low Q_gprocess

International standard packages

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability

classification

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

Mounting Force

TO-247

TO-268

1.13/10 Nm/lb.in.

Low R_{DS (on)}low Q_g

F_C

20...120/4.5...27 N/lb

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic rectifier

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 3 mA

800

2.5

V_GS(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100 nA

V_DS= V

T = 25°C

25 µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

0.42

Ω

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^Dd²⁵uty cycle d ≤ 2 %

DS99060A(02/04)

12 3 4 5

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IXFH24N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH24N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH24N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH24N50S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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