IXFH24N50

更新时间： 2024-11-17 22:40:55

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH24N50 数据手册

V_DSSI_D25R_DS(on)

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFH/IXFM21N50

IXFH/IXFM/IXFT24N50

IXFH/IXFT26N50

500 V 21 A 0.25 Ω

500 V 24 A 0.23 Ω

500 V 26 A 0.20 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

t ≤ 250 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

TO-268 (D3) Case Style

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

21N50

24N50

26N50

21N50

24N50

26N50

21N50

24N50

26N50

104

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

TO-204 AE (IXFM)

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

Features

• International standard packages

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Low R

HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

• Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC choppers

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 µA

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

• High power surface mountable package

• High power density

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

91525H (9/99)

12 3 4

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IXFH24N50 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW23NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.162 Î©, 17 A TO-220, TO-22
STW19NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STW20NM50FD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-247 FDmesh⑩

与IXFH24N50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH24N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH24N50S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH24N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH24N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH24N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH24N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH24N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH24N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH250	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs

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