Datasheet > IXFH230N10T

IXFH230N10T

更新时间： 2024-02-21 15:53:52

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	192K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH230N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 230A

R_DS(on)≤ 4.7mΩ

IXFH230N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

V_DGR

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

230

160

500

TAB = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

115

1.5

Features

^zInternational Standard Package

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

P_D

T_C= 25°C

650

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

^zFast Intrinsic Rectifier

-55 ... +175

Low R_DS(on)

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

Advantages

Weight

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

100

2.5

Max.

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

4.5

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±200 nA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

T_J= 150°C

3 mA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25Notes 1, 2

4.7 mΩ

DS100104(01/09)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFH230N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH23N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH23N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH23N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH240N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH24N40	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH24N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH24N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH24N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH24N50S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met