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IXFH22N60X2A

更新时间： 2024-11-18 20:06:43

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	238K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH22N60X2A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXFH22N60X2A 数据手册

Advance Technical Information

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 22A

IXFH22N60X2A

R_DS(on) 145m

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

390

T_J

-55 ... +150

150

C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600



Switch-Mode and Resonant-Mode

3.5

5.0

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



100 nA



I_DSS

10 A

1.5 mA



Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

145 m

DS100914A(6/18)

12 3 4 5 6 7

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