Datasheet > IXFH22N60P

IXFH22N60P

更新时间： 2024-11-21 11:13:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	295K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH22N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.58	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFH22N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFETs

IXFH 22N60P

IXFV 22N60P

IXFV 22N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 22 A

R_DS(on)≤ 350 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

t_rr

≤ 200 ns

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXFV)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

400

PLUS220SMD (IXFV...S)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

D (TAB)

Mounting torque

Mounting Force

(TO-247)

(PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C^d

11..65/2.5..15

Nm/lb.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

PLUS220 & PLUS220SMD

Features

Fast intrinsic diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

350 mΩ

High power density

DS99315E(03/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFH22N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV22N60P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXTQ22N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH22N60P3	IXYS	类似代替	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

与IXFH22N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH22N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFH22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH230N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH230N10T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFH230N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH23N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFH22N60P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH22N60P

IXFH22N60P 技术参数

IXFH22N60P 数据手册

IXFH22N60P 替代型号

与IXFH22N60P相关器件

与IXFH22N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH22N60P

IXFH22N60P 技术参数

IXFH22N60P 数据手册

IXFH22N60P 替代型号

与IXFH22N60P相关器件

与IXFH22N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？