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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 738K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用: 优点: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | TO-247AD, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.35 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 21 A | 最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 300 W |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 84 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH21N50F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFH21N50Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs | |
IXFH21N50Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH21N50S | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFH21N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH220N06T3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH220N06T3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFH220N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH220N20X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH22N50P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |