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IXFH22N50P

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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5页	182K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH22N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.3	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	350 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH22N50P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 500V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 270mΩ

≤ 200ns

IXFV22N50P

IXFV22N50PS

IXFH22N50P

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

D (TAB)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

PLUS220SMD (IXFV_S)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (TAB)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

TO-247 (IXFH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

350

V/ns

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

°C

D (TAB)

= Drain

-55 ... +150

°C

G = Gate

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

S = Source TAB = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS 220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

F_C

11..65/2.5..14.6

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-247

PLUS 220 types

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.5

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 100 nA

I_DSS

15 μA

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99358G(07/09)

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IXFH22N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ22N50P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET
IXTH22N50P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH460P2	IXYS	类似代替	PolarP2â¢ Power MOSFET

与IXFH22N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH22N55	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFH22N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFH22N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH22N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFH22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH230N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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