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IXFH20N80P

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH20N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.35	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH20N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 20N80P

IXFT 20N80P

IXFV 20N80P

IXFV 20N80PS

V_DSS= 800 V

I_D25= 20 A

R_DS(on)≤ 520 mΩ

t_rr

≤ 250 ns

Fast Intrinsic Diode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

800

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25° C

E_AR

E_AS

T_C= 25° C

D (TAB)

1.0

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25° C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

PLUS220 SMD(IXFV..S)

T_L

T_SOLD

Maximum lead temperature for soldering

Plastic case for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

Mounting force (PLUS220)

1..65 / 2.5..15

N/lb

D (TAB)

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 types

5.5

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

800

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

3.0

5.0

200

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

Easy to mount

Space savings

High power density

T_J= 125° C

1000

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 10 A

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

520 m Ω

DS99511E(03/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IXFH20N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH20N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH20N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH21N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH21N50F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFH21N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH21N50S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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