是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 8.35 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.52 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFV20N80P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT20N80P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV20N80PS | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH20N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH20N80Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH20N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFH20N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH21N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs | |
IXFH21N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH21N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFH21N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs | |
IXFH21N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH21N50S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |