IXFH21N50

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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描述
HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs

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IXFH21N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFH21N50 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 21N50Q

IXFT 21N50Q

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 21 A

R_DS(on)= 0.25 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

280

S = Source TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lLow gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^lRated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

2.5

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100

Advantages

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.25

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

98718B(02/04)

12 3 4

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IXFH21N50 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW19NM50N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STW20NM50FD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-247 FDmesh⑩
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与IXFH21N50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFH21N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH21N50S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH21N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH220N06T3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH220N06T3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH220N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH220N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

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