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IXFH20N50P3

更新时间： 2024-11-18 21:09:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXFH20N50P3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.45	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	380 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH20N50P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 20A

R_DS(on) 300m

IXFA20N50P3

IXFP20N50P3

IXFQ20N50P3

IXFH20N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220AB (IXFP)

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

V_DGR

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

TO-247 (IXFH)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

D (Tab)

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

380

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

10..65/2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

^Low Package Inductance

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^DC-DC Converters

          100 nA

I_DSS

25 A

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

1.25 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

300 m

DS100414A(11/13)

12 3 4 5 6

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