生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | TO-247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 4.45 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 20 A |
最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 380 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFA20N50P3 | IXYS |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH20N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH20N60 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH20N60Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH20N60Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH20N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH20N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH20N80Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH20N80Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH20N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFH20N85X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |