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IXFA20N50P3

更新时间： 2024-11-22 01:19:35

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描述
Power MOSFET

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IXFA20N50P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 20A

R_DS(on) 300m

IXFA20N50P3

IXFP20N50P3

IXFQ20N50P3

IXFH20N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 (IXFA)

TO-3P (IXFQ)

TO-220 (IXFP)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

D = Drain

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

380

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

^Low Package Inductance

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^DC-DC Converters

          100 nA

I_DSS

25 A

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

1.25 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

300 m

DS100414B(6/18)

12 3 4 5 6 7

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IXFA20N50P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH20N50P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA20N50P3_V01	IXYS	获取价格	Power MOSFET
IXFA20N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA220N06T3	LITTELFUSE	获取价格	60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA22N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA230N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA230N075T2-7	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA230N075T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA230N075T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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