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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 354K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA22N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFA230N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA230N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA230N075T2-7 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA230N075T2-7 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA230N075T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA24N60X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFA26N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA26N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFA26N65X2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: |