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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFA230N075T2
IXFA230N075T2 PDF预览

IXFA230N075T2

更新时间： 2024-09-13 11:13:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFA230N075T2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.45Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：230 A
最大漏极电流 (ID)：230 A最大漏源导通电阻：0.0042 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：480 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFA230N075T2 数据手册

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TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 75V  
ID25 = 230A  
RDS(on) ≤ 4.2mΩ  
IXFA230N075T2  
IXFP230N075T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXFA)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB (IXFP)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
75  
75  
V
V
VDGR  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
230  
120  
A
A
A
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
700  
115  
850  
480  
G = Gate  
D
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
A
mJ  
W
S = Source  
Tab = Drain  
EAS  
PD  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
-55 ... +175  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Fast Intrinsic Rectifier  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z
Low RDS(on)  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
75  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
z
Automotive  
- Motor Drives  
- 12V Power Bus  
- ABS Systems  
DC/DC Converters and Off-Line UPS  
Primary- Side Switch  
±200 nA  
IDSS  
25 μA  
z
TJ = 150°C  
250 μA  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50A, Note 1  
4.2 mΩ  
z
High Current Switching Applications  
DS100074A(03/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXFA230N075T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA230N075T2 IXYS

完全替代

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP230N075T2 IXYS

完全替代

 TrenchT2TM Power MOSFET
IXFH230N075T2 IXYS

完全替代

 TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFA230N075T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFA230N075T2-7 IXYS

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 		TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA230N075T2-7 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA230N075T2-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXFA24N60X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA26N30X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA26N50P3 LITTELFUSE

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 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA26N65X2 LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用:
IXFA270N06T3 LITTELFUSE

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 		60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA30N25X3 LITTELFUSE

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