5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFA26N30X3
IXFA26N30X3 PDF预览

IXFA26N30X3

更新时间： 2024-11-06 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFA26N30X3 数据手册

 浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFA26N30X3的Datasheet PDF文件第7页 
X3-Class HiPERFETTM  
Power MOSFET  
IXFY26N30X3  
IXFA26N30X3  
IXFP26N30X3  
VDSS = 300V  
ID25 = 26A  
RDS(on) 66m  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
D
S
TO-252  
(IXFY)  
G
G
S
D (Tab)  
TO-263  
(IXFA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
300  
300  
V
V
G
S
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-220  
(IXFP)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
26  
40  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
13  
A
G
D
EAS  
250  
mJ  
V/ns  
S
D (Tab)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
G = Gate  
D
= Drain  
Tab = Drain  
170  
W
S = Source  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 500μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
300  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
A  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
5
TJ = 125C  
250 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
53  
66 m  
Robotics and Servo Controls  
DS100861C(11/19)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFA26N30X3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFA26N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA26N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:
IXFA270N06T3 LITTELFUSE

获取价格

 		60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA30N25X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA30N60X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA34N65X2 IXYS

获取价格

 		MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
IXFA34N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA34N65X3 LITTELFUSE

获取价格

 		这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。 这些产品的额定标称电流为34A，
IXFA36N20X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA36N30P3 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor

与IXFA26N30X3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证