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IXFA26N30X3

更新时间: 2024-11-22 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 开关栅极
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘以栅极电荷),最大限度地降低传导和开关损耗。 该系列产品表现出业内最低的导通电阻。 凭借较低的反向恢复电荷

IXFA26N30X3 数据手册

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X3-Class HiPERFETTM  
Power MOSFET  
IXFY26N30X3  
IXFA26N30X3  
IXFP26N30X3  
VDSS = 300V  
ID25 = 26A  
RDS(on) 66m  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
D
S
TO-252  
(IXFY)  
G
G
S
D (Tab)  
TO-263  
(IXFA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
300  
300  
V
V
G
S
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-220  
(IXFP)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
26  
40  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
13  
A
G
D
EAS  
250  
mJ  
V/ns  
S
D (Tab)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
G = Gate  
D
= Drain  
Tab = Drain  
170  
W
S = Source  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 500μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
300  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
A  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
5
TJ = 125C  
250 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
53  
66 m  
Robotics and Servo Controls  
DS100861C(11/19)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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