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IXFH20N100P

更新时间： 2024-11-05 11:13:59

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH20N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.57 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	660 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH20N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 20A

R_DS(on)≤ 570mΩ

≤ 300ns

IXFH20N100P

IXFT20N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

TAB

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-268 (IXFT)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

E_AS

800

TAB

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

660

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

T_SOLD

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1000

3.5

Applications:

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

± 200 nA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

470

570 mΩ

DS99843B(04/08)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT20N100P	IXYS	完全替代	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFH20N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH20N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFH20N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH20N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH20N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH20N60Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH20N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH20N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH20N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
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