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IXFV12N90PS

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFV12N90PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFV12N90PS 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

IXFH12N90P

IXFV12N90P

IXFV12N90PS

V_DSS= 900V

I_D25= 12A

R_DS(on)≤ 900mΩ

≤ 300ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

900

D (TAB)

V_DGR

PLUS220SMD (IXFV_S)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (TAB)

E_AS

500

TO-247 (IXFH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

380

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65/2.5..14.6

Features

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zLow package inductance

^zFast intrinsic diode

Weight

TO-247

PLUS220 types

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

900

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

Applications:

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

± 100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

1 mA

^zDC-DC Converters

T_J= 125°C

^zLaser Drivers

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

900 mΩ

DS100056(10/08)

12 3 4

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IXFV12N90P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
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