5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFV12N90P | IXYS |
类似代替  |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFH12N90P | IXYS |
功能相似 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFH12N100Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFV14N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV14N80PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV15N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV15N100PS | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV16N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV Power MOSFET |
|
| IXFV18N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV18N60PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV18N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV18N90PS | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV20N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
