Datasheet > IXFV16N80P

IXFV16N80P

更新时间： 2024-02-16 00:23:57

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	207K
描述
PolarHV Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV16N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV16N80P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXFH 16N80P

IXFT 16N80P

IXFV 16N80P

IXFV 16N80PS

V_DSS= 800

I_D25= 16

R_DS(on)≤ 600 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

t_rr

≤ 250 ns

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

D (TAB)

E_AR

E_AS

1.0

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

460

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

° C

M_d

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

6.0

5.0

4.0

G = Gate

S = Source

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zFast Recovery diode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

Advantages

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

600 mΩ

High power density

DS99599E(07/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFV16N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV18N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV18N60PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV18N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV18N90PS	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV20N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV20N80PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV22N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV22N60PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV26N50P	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode

与IXFV16N80P相关文章

2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

2
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

2
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1
2N7002DW数据手册：参数解读、引脚信息、替代型号推荐
2024-07-02

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV16N80P

IXFV16N80P 技术参数

IXFV16N80P 数据手册

与IXFV16N80P相关器件

与IXFV16N80P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV16N80P

IXFV16N80P 技术参数

IXFV16N80P 数据手册

与IXFV16N80P相关器件

与IXFV16N80P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？