IXFV15N100P

更新时间： 2024-09-27 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFV15N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.76 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	543 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV15N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

IXFH15N100P

IXFV15N100P

IXFV15N100PS

V_DSS= 1000V

I_D25= 15A

R_DS(on)≤ 760mΩ

≤ 300ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PLUS220 (IXFV)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

PLUS220SMD (IXFV_S)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

D (TAB)

I_AR

T_C= 25°C

7.5

TO-247 (IXFH)

E_AS

500

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

543

T_J

-55 ... +150

150

°C

D (TAB)

T_JM

T_stg

G = Gate

= Drain

S = Source TAB = Drain

-55 ... +150

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS 220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

F_C

11..65/2.5..14.6

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-247

PLUS 220 types

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

Applications:

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

± 100 nA

^zDC-DC Converters

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

1.0 mA

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

670

760 mΩ

DS99891A(4/08)

12 3 4

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